英伟达Vera Rubin出货扰动存储供需 NAND闪存价格暴力反弹
快科技8月19日消息,据TrendForce报道,随着英伟达新一代Vera Rubin平台出货逐步提升,其存储需求效应已从HBM延伸至NAND闪存领域。市场数据显示,TLC NAND闪存现货价格自6月触及低位后持续反弹,本周报价较上周上涨4.97%,较三周前累计涨幅达11.6%。尽管英伟达绝大部分TLC NAND供应通过长期协议锁定,但平台放量带来的实际需求仍对现货市场形成传导压力,推动价格连续上行。此前,三星已与英伟达在通用DRAM、HBM及晶圆代工领域建立合作,现进一步将...